크리스탈 다이오드의 p 형 반도체와 n 형 반도체 p-n 접합에는 공간 전 하 층의 형성에 대 한 인터페이스의 양쪽에 형성 되 고 이후 전기 분야를 구축 했다. 때 아무 외부 전압, 현재 캐리어 농도 기온 변화도 확산의 양쪽에 p-n 접합의 결과 이며 현재 전기 평형에서의 전기장은 동일.
외부 때 긍정적인 전압 오프셋, 외부 전기 분야와 증가 전기 분야의 상호 억제 효과 만들 때 운반대의 유포는 순방향 전류를 발생 했습니다.
때 역 바이어스 전압, 전기의 건설 있을 때 외부 외부 전기 분야에 의해 필드와 더 강화 하 고 형성 역방향 포화의 역방향 바이어스 전압 값의 특정 역방향 전압 범위 전류 I0.
어느 정도로, 전기장 강도 공간 전 레이어 캐리어 곱셈 과정에서 p-n 접합의 역방향 전압에는 중요 한 값에 도달 하면, 전자 구멍 쌍의 많은 수를 생성, 그래서 현재 역 항복 생산, 다이오드 고장 현상으로 알려져 큰.