VCSEL, 즉 수직 캐비티 표면 방출 레이저는 높은 출력 전력, 높은 변환 효율 및 고품질 빔의 장점을 결합합니다. LED 및 에지 방출 레이저 EEL과 비교하여 정확도, 소형화, 저전력 소비, 신뢰성 및 기타 측면의 장점이 모든 측면에서 우수합니다.
VCSEL 장치에는 두 가지 기본 구조가 있습니다. 하나는 최고 방출 구조입니다 : 그것은 MOCVD 기술을 사용하여 n 형 GaAs 기판에 재배되고, DBR은 레이저 캐비티 미러로 사용되며, 양자 우물의 활성 영역은 n-DBR과 p-DBR 사이에 끼워져 있다. 다른 하나는 일반적으로 976-1064nm 대역을 생산하는 데 사용되는 바닥 방출 구조입니다. 일반적으로 기판은 기판의 흡수 손실을 줄이기 위해 150μm 미만으로 얇아지고, 반반사 코팅층이 레이저 빔의 품질을 향상시키기 위해 재배된다. 마지막으로, 게인 칩은 방열판에 설치됩니다.
BrandNew는 850nm 및 940nm VCSEL을 제공 할 수 있습니다.
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