일부 반도체 재료의 PN 접합부에서는 소수 캐리어가 대다수 캐리어와 결합되면 과도한 에너지가 빛의 형태로 방출되어 전기 에너지를 빛 에너지로 직접 변환합니다. PN 접합부는 역전압으로 추가되고 소수 캐리어는 주입하기 어렵기 때문에 빛을 방출하지 않습니다. 사출 전기 발광의 원리에 의해 제조 된 이러한 다이오드는 발광 다이오드, 또는 짧은 LED라고합니다. LED는 일반적으로 가전 제품의 표시등, 자동차의 안개 방지 램프 등에 사용됩니다. 그들은 긴 수명과 높은 광전 변환 효율성을 가지고 있습니다.
LD는 레이저 다이오드에 대 한 짧은. 레이저 다이오드의 물리적 구조는 LED의 접합 사이에 광활성 반도체층을 배치하는 것이며, 그 끝면은 연마 후 부분 반사 기능을 가지므로 광학 공진기를 형성한다. 전방 바이어스의 경우, LED 접합부는 빛을 방출하고 광학 캐비티와 상호 작용하여 접합부로부터 단일 파장의 방출을 더욱 흥미진진하게 하며, 그 중 물리적 특성은 물질에 의존한다. 반도체 레이저 다이오드의 작동 원리는 이론적으로 가스 레이저의 원리와 동일합니다. 레이저 다이오드는 컴퓨터의 CD 광학 드라이브와 레이저 프린터의 인쇄 헤드와 같은 저전력 광전자 장치에서 널리 사용됩니다.
원칙, 건축 및 성능의 차이
1. 작동 원리의 차이 : LED는 활성 영역에 주입 된 담체에 의해 복합 방사선의 자발적인 방출이며, LD는 자극 방사선의 결합 된 방사선이다. LED에 의해 방출되는 광자의 방향은 무작위이며 LD에서 방출되는 광자는 동일한 방향과 단계에 있습니다.
2. 건축의 차이 : LD는 생성 된 광자가 캐비티에서 진동및 증폭되도록 광학 캐비티를 가지고 있으며 LED에는 공진 구멍이 없습니다.
성능의 차이 : LED는 임계 값 특성이 없으며, 스펙트럼 밀도는 LD보다 여러 수 주 높은 크기이며, LED 광 출력 전력은 작고 발산 각도가 큽습니다.
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