설명
12W 940nm 단일 이미 터 레이저 칩
빠른 세부 정보:
출력 전력: 12W, 중심 파장: 940nm
CW 작동 모드, 100% 전력 변조
우리 칩의 변환 효율은 60%에 도달할 수 있습니다.
수명은 10000시간 이상일 수 있습니다.
새로운 에피택시 구조 설계 및 재료 에피택시
COS 패키지 사용 가능, 고휘도 및 신뢰성
애플리케이션:
고체 레이저 펌핑 소스
직접 반도체 레이저
직접 재료 가공, 가열 또는 조명용 고출력 다이오드 레이저용 반도체.
데이터 시트
품목 번호: LC940SE12
항목 이름:12W 940nm 단일 이미 터 레이저 칩
| 광학 | 분 | 보통 | 최대 |
| 중심 파장 | 930nm | 940nm | 950nm |
| 출력 파워 | 12W | ||
| 작업 모드 | CW | ||
| 전력 변조 | 100% | ||
| 스펙트럼 폭 | 4nm | ||
| 이미터 폭 | 90음 | 95음 | |
| 이미터 피치 | 390음 | 400음 | 410음 |
| 필링 팩터 | 100% | ||
| 캐비티 길이 | 3990 | 4000음 | 4010 |
| 두께 | 110음 | 130음 | 150음 |
| 빠른 축 발산(FWHM) | 29도 | ||
| 느린 축 발산(FWHM) | 9도 | ||
| 편광 모드 | 테 | ||
| 슬로프 효율성 | 1W/A | ||
| 전기 같은 | |||
| 작동 전류 Iop | 13A | 11A | |
| 임계값 전류 I | 0.7A | 1A | |
| 작동 전압 Vop | 1.7V | 2V | |
| 변환 효율성 | 52% | 56% | |
| 열의 | |||
| 작동 온도 | 15℃ | 25℃ | 35℃ |
| 파장 온도 계수 | 0.34nm/℃ |
LIV 곡선
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