100mW 974nm 단일 이미 터 다이오드 레이저 칩

100mW 974nm 단일 이미 터 다이오드 레이저 칩

품목 번호:LC974SE100
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설명

100mW 974nm 단일 이미 터 다이오드 레이저 칩

우리는 100mW 974nm 단일 이미 터 칩이 있습니다. 이 파장 외에도 755nm, 780nm, 808nm, 905nm, 976nm, 1064nm 레이저 칩도 제공합니다. 단일 방사체 레이저 다이오드(SE) 칩은 고출력 및 고휘도 반도체 레이저 모듈의 기본 빌딩 블록입니다. 각 제품의 신뢰성, 안정성, 긴 수명을 보장하기 위해 모든 면에서 검사한 결과가 나옵니다.

100mW 974nm Single Emitter Diode Laser  Chip

특징:

100mW 출력 전력, 974nm 중심 파장

작동 모드: CW

COS 패키지 사용 가능

효율 포장 방열 코팅 기술

고온 저항 특성

애플리케이션:

고출력 반도체 레이저 모듈용

파이버 및 고체 레이저의 펌핑 소스

IR 조명 시스템

의료(에스테틱, 피부과, 외과


데이터 시트

품목 번호: LC974SE100

항목 이름:100mW 974nm 단일 이미 터 다이오드 레이저 칩


광학
중심 파장974nm
출력 파워100mW
스펙트럼 폭2nm
이미터 폭4음
캐비티 길이1000음
칩 폭500음
두께150음
빠른 축 발산(FWHM)40도
느린 축 발산(FWHM)8도
전기 같은
작동 전류 Iop120mA
임계값 전류 I15mA
작동 전압 Vop2V
변환 효율성40%
열의
작동 온도25℃
파장 온도 계수0.3nm/℃



포장:

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