808NM 600W QCW 5 막대 G-Stack 레이저 다이오드

808NM 600W QCW 5 막대 G-Stack 레이저 다이오드

QCW 전도 냉각 수평 스택 다이오드 레이저
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설명

808NM 600W QCW 5 막대 G-Stack 레이저 다이오드

제품 설명

808nm 600W QCW 5 bars g-stack 레이저 다이오드는 다수의 칩을 함께 쌓아서 높은 출력 전력, 우수한 열 관리 기능 및 우수한 신뢰성 .의 특성을 가지고 있으며, 레이저의 출력 전력을 크게 증가시키고 이중 칩에 의해 생성 된 열을 신속하게 소산하여 생산을 감소시킬 수 있습니다. 쌓인 레이저는 또한 산업 재료 가공, 고체 레이저 펌핑 및 과학 연구, 예를 들어 ND 결정을 사용하여 고출력 레이저 출력을 달성하고 레이저 레이더 범위, 통신, 3D 이미징 및 기타 필드에 광범위한 응용 전망을 갖는 데 널리 사용됩니다.

bar 1= 센터 803 nm +/- 1 65도 c

bar 2= 센터 806 nm +/- 1 65도 c

bar 3= 센터 809 nm +/- 1 65도 c

bar 4= 센터 812 nm +/- 1 65도 c

bar 5= 센터 815 nm +/- 1 65도 c

900W 6Bars 808nm GS Package Diode Laser Stacks
 

데이터 시트 :

항목 번호 . : CC808HA600

광학 전형적인 가치
중심 파장 808 ± 10nm
출력 전원 600W
막대의 양 6
작업 모드 QCW
빠른 축 분기 (FWHM) 38deg
느린 축 분기 (FWHM) 12deg
빈도 100Hz
맥박 너비 <200us
듀티 사이클 <2%
전기 같은  
현재 IOP 작동 100A
임계 값 전류 ITH 15A
작동 전압 vop 12V
열의  
작동 온도 25도
저장 온도 0-55 학위

 

패키지 도면 :

1

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