설명
300mW 808nm~9mm 레이저 다이오드
제품 설명
300mW 808nm ~ 9mm 레이저 다이오드의 기본은 레이저 다이오드(LD)와 트랜지스터 아웃라인(TO)의 조합을 포함합니다. 여기서 레이저 다이오드는 반도체 PN 접합에 전류를 주입하여 자극 방사선을 생성하여 모집단 반전 분포를 달성한 다음 공진 공동의 포지티브 피드백을 사용하여 광 증폭을 달성하고 레이저 발진을 생성하는 반도체 레이저입니다.
특징:
출력 전력: 100mW-500mW
TO 9mm 패키지
다른 패키지 C-Mount 또는 F{1}}Mount 사용 가능
좁은 빔 발산.
높은 레이저 출력 밀도.

데이터 시트:
품목 번호: LD808TO300
품목 이름: LD에 300mW 808nm 9mm
| 광학 | |
| 중심 파장 | 808nm |
| 파장 허용오차 | ±5nm |
| 출력 전력 | 300mW |
| 빠른 축 발산 | 35도 |
| 느린 축 발산 | 10도 |
| 전기 같은 | |
| 작동 전류 Iop | 300mA |
| 임계 전류 Ith | 80mA |
| 작동 전압 | 2V |
| LD 역전압 | <2V |
| 경사면 효율 | 1.1W/A |
| 열의 | |
| 작동 온도 | -40~70도 |
| 보관 온도 | -40~80도 |
그림:
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