설명
3W 5W 8W 808nm 단일 이미 터 레이저 칩
우리는 가장 엄격한 품질 관리하에 반도체 재료를 생산합니다. 우리는 최첨단 에피택시, 처리 및 패싯 코팅 기술로만 작업합니다. 따라서 당사의 고출력 다이오드 레이저용 바, 세미바 및 단일 이미터는 가장 엄격한 요구 사항을 충족합니다. 매우 안정적이고 효율적이며 내구성이 있습니다. 당사의 반도체 제품은 표준 납땜 방법을 사용하여 쉽게 조립됩니다. 이 소재는 소프트 솔더(인듐)와 하드 솔더(금/주석)를 모두 지원합니다. 당사는 기본적으로 p측에서 분리된 이미터 구조를 사용하여 레이저 바를 제공합니다. 요청 시 외부 공진기 조립을 위해 낮은 AR 코팅을 사용하여 연속 p면 금속화 및 조정된 패싯 코팅이 있는 막대를 생산할 수도 있습니다.
항목 번호.:LC808SE3,LC808SE5,LC808SE8
3W 5W 8W 808nm 단일 이미 터 레이저 칩
| 작업 | |||
| 중심 파장 | 808nm | 808nm | 808nm |
| 파장 허용 오차 | 3nm | 3nm | 3nm |
| 출력 파워 | 3W | 5W | 8W |
| 작동 모드 | cw | cw | cw |
| 기하학적 | |||
| 이미터 폭 | 20100음 | 200음 | 200음 |
| 캐비티 길이 | 2000음 | 2000음 | 4000음 |
| 이미터 피치 | 500음 | 500음 | 600음 |
| 전기 광학 데이터 | |||
| 임계 전류 | 0.4A | 0.8A | 1.25A |
| 작동 전류 | 2.8A | 4.8A | 8.5A |
| 경사 효율 | 1.22W/A | 1.25W/A | 1.2W/A |
| 변환 효율 | 61% | 60% | 55% |
3W 808nm에 대한 PIV 차트:
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