설명
50W 808nm 다중 이미터 레이저 칩
제품 설명
50W 808nm 다중 이미터 레이저 칩은 마운트되지 않은 레이저 바입니다. 레이저 바는 여러 개의 단일 반도체 이미터가 나란히 형성된 단일 레이저 바(바라고 함)로 간주될 수 있습니다. 본질적으로 이는 동일한 기판에 일련의 단일 반도체 레이저 이미터를 구축하여 형성되며 선형 배열 레이저라고도 합니다. 간단히 이해하면, 여러 개의 단일 이미터가 하나의 막대로 배열되고, 하나의 막대가 여러 개의 단일 이미터로 분할될 수 있습니다.
레이저 바는 발광점이 많기 때문에 발광량이 더 높기 때문에 펌프 소스 또는 고전력 파이버 레이저 및 모든 고체 레이저의 직접 발광으로 자주 사용됩니다.- 또한 의료, 군사 및 기타 분야에서도 널리 사용됩니다. 현재 중국에서 단일 레이저 튜브의 최대 전력은 20W에 도달할 수 있는 반면, 레이저 바는 300W 이상의 전력 출력을 달성할 수 있습니다.

데이터 시트
품목 번호: LC808SB50
| 광학 | |
| 중앙 파장 | 808nm |
| 출력 전력 | 50W |
| 작업 모드 | CW |
| 스펙트럼 폭 | 4nm |
| 스펙트럼 폭 | 19 |
| 이미터 폭 | 150um |
| 이미터 피치 | 500um |
| 충전율 | 30% |
| 바 너비 | 10000um |
| 캐비티 길이 | 1000um |
| 캐비티 길이 | 125um |
| 빠른 축 발산(FWHM) | 39도 |
| 느린 축 발산(FWHM) | 9도 |
| 편광 모드 | 테 |
| 경사 효율성 | 1.15W/A |
| 전기 같은 | |
| 작동 전류 Iop | 48.5A |
| 임계 전류 Ith | 6A |
| 작동 전압 Vop | 1.8V |
| 변환 효율성 | 57% |
| 열의 | |
| 작동 온도 | 25도 |
| 파장 온도 계수 | 0.28nm/도 |
그림:

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