100W 808nm 다이오드 레이저 칩

100W 808nm 다이오드 레이저 칩

품목 번호: LC808SB100
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설명

100W 808nm 다이오드 레이저 칩

개요

 

특징:

• 최고의 신뢰성과 수명을 위한 고유한 AAA 에피택셜 기술

• 고효율

• 100um 폭 이미터에서 최대 100W

포장 원리:

용접 기술: 레이저 칩을 패키지 구조에 연결하는 과정으로 일반적으로 사용되는 용접 기술에는 솔더, 솔더 페이스트 등이 포함됩니다. 용접 시 온도와 용접 시간을 정확하게 조정하여 용접 품질을 보장하고 레이저 칩이 손상되는 것을 방지해야 합니다.

10W 940nm Laser Diode Bare Bar

 

 

사양:

품목 번호: LC808SB100

광학 일반
중앙 파장 808nm
출력 전력 100W
작업 모드 CW
스펙트럼 폭 4nm
이미터 수 47
이미터 폭 100μm
이미터 피치 200μm
충전율 50%
바 너비 10000μm
캐비티 길이 1500μm
두께 125μm
전기 같은  
작동 전류 Iop 105A
임계 전류 Ith 18A
작동 전압 Vop 1.8V
변환 효율성 55%
열의  
작동 온도 15-35도
파장 온도 계수 0.28nm/도

 

PIV 차트

 

A6H`MWJ74VQOV2G)19BA%]V

 

FAQ:

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