2W 830nm 단일 이미 터 SE 베어 레이저 바

2W 830nm 단일 이미 터 베어 레이저 바 단일 방사체 레이저 다이오드(SE) 칩은 고출력 및 고휘도 반도체 레이저 모듈의 기본 빌딩 블록입니다. 우리는 다양한 출력과 파장을 가진 단일 칩을 제조합니다.

작업:
중심 파장	808nm
광출력	2W
작동 모드	CW
전력 변조	100%

기하학적:
이미터 폭	40음
캐비티 길이	2000음
칩 폭	400음
캐비티 높이	150음

전기 광학 데이터:
빠른 축 발산(FWHM)	35도
느린 축 발산(FWHM)	10도
스펙트럼 대역폭(FWHM)	3nm
펄스 파장	808nm
슬로프 효율성	1.2W/A
변환 효율성	55%
임계 전류	0.3A
작동 전류	2A
작동 전압	1.8V
온도 특성	0.28nm/℃
편광	테
LD 작동 온도	25℃




비고

다른 모델은 선택에 따라 사용할 수 있습니다. pls는 자유롭게 문의하십시오.

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