10W 976nm Bare Laser Chip Unmounted Laser Bar 특징: 파장: 760 - 1060nm 출력 전력: 6 - 500W 작동 모드: CW / QCW 필링 계수: - - 75% 공진기 길이: 0.6 - 4.0mm 적용: 산업: 고전력용 반도체 직접 재료 가공의 다이오드 레이저, 가열 또는 ...
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설명
10W 20W 976nm 베어 레이저 칩 마운트되지 않은 레이저 바
특징:
파장: 976nm 출력 전력: 10W, 20W 작동 모드: CW
애플리케이션:
산업: 직접 재료 가공, 가열 또는 조명용 고출력 다이오드 레이저용 반도체. 파이버 및 고체 레이저용 펌핑 소스로서의 반도체. 인쇄 기술에 사용합니다. 의학: 에스테틱, 피부과 및 외과.
품목 번호: LC976B10
항목 이름: 10W 976nm 벌거벗은 레이저 칩
광학 파장 λ 973~979nm 출력 전력10~12W 작동 모드 CW 스펙트럼 폭 FWHM ≤5nm 이미터 폭 95um 캐비티 폭 390~410um 캐비티 두께 95~120um 캐비티 길이 3990~4010um 빠른 축 발산(FWHM) 29Deg 느린 축 발산(FWHM) 9Deg 스펙트럼 폭 FWHM 4nm 편광 모드 TE 슬로프 효율 ≥0.95W/A
전기 같은 작동 전류 Iop 10.8~12A 임계 전류 Ith 0.7~1.0A 작동 전압 Vop 1.75~1.95V
열의 작동 온도 25℃ 파장 온도 계수 ~0.3nm/℃
비고
다른 모델은 선택에 따라 사용할 수 있습니다. pls는 자유롭게 문의하십시오.
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